Ignasi Fina Martínez

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Florencio SánchezInstituto de Ciencia de Materiales de Barcelona (ICMAB - CSIC)Adresse e-mail validée de icmab.es
Xavi MartiInstitute of Physics - Czech Academy of SciencesAdresse e-mail validée de fzu.cz
Jaume GazquezICMAB-CSICAdresse e-mail validée de icmab.es
Saúl EstandíaICMAB-CSICAdresse e-mail validée de icmab.es
Jike LyuPaul Scherrer InstituteAdresse e-mail validée de psi.ch
Tingfeng SongInstituto de Ciencia de Materiales de Barcelona (ICMAB - CSIC)Adresse e-mail validée de icmab.es
Lourdes FàbregaTenured Scientist, ICMAB-CSICAdresse e-mail validée de icmab.es
Huan TanPostdoc, Universitat Autònoma de BarcelonaAdresse e-mail validée de uab.cat
Romain BacheletInstitut des Nanotechnologies de Lyon - UMR CNRS 5270Adresse e-mail validée de ec-lyon.fr
Maria VarelaUniversidad Complutense MadridAdresse e-mail validée de ucm.es
Guillaume Saint-GironsDirecteur de recherches CNRSAdresse e-mail validée de ec-lyon.fr
Tomas JungwirthInstitute of Physics Czech Academy of Sciences and University of NottinghamAdresse e-mail validée de fzu.cz
Carlos FronteraInstitut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB/CSIC)Adresse e-mail validée de icmab.es
Jordi SortUniversitat Autònoma de Barcelona and Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats (ICREA)Adresse e-mail validée de uab.cat
Marin AlexeUniversity of WarwickAdresse e-mail validée de warwick.ac.uk
Riccardo BertaccoDipartimento di Fisica Politecnico di MilanoAdresse e-mail validée de polimi.it
R. RAMESHUniversity of California, BerkeleyAdresse e-mail validée de berkeley.edu
Alberto Quintana PueblaLecturer, Universitat Autònoma de BarcelonaAdresse e-mail validée de uab.cat
Silviu PolosanNational Institute of Materials Physics, MagureleAdresse e-mail validée de infim.ro
Jian LiuDepartment of Physics and Astronomy, University of TennesseeAdresse e-mail validée de utk.edu

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ferroelectric materials hafnium oxide magnetoelectric coupling photoferroelectrics


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Room-temperature antiferromagnetic memory resistor X Marti, I Fina, C Frontera, J Liu, P Wadley, Q He, RJ Paull, JD Clarkson, ... Nature materials 13 (4), 367-374, 2014	755	2014
Towards oxide electronics: a roadmap M Coll, J Fontcuberta, M Althammer, M Bibes, H Boschker, A Calleja, ... Applied surface science 482, 1-93, 2019	326	2019
Multiferroic iron oxide thin films at room-temperature M Gich, I Fina, A Morelli, F Sánchez, M Alexe, J Gàzquez, J Fontcuberta, ... arXiv preprint arXiv:1405.4909, 2014	227	2014
Electric control of magnetism at the Fe/BaTiO₃ interface G Radaelli, D Petti, E Plekhanov, I Fina, P Torelli, BR Salles, M Cantoni, ... Nature communications 5 (1), 3404, 2014	224	2014
Anisotropic magnetoresistance in an antiferromagnetic semiconductor I Fina, X Marti, D Yi, J Liu, JH Chu, C Rayan-Serrao, S Suresha, AB Shick, ... Nature communications 5 (1), 4671, 2014	206	2014
Engineering Ferroelectric Hf_0.5Zr_0.5O₂ Thin Films by Epitaxial Stress S Estandia, N Dix, J Gazquez, I Fina, J Lyu, MF Chisholm, J Fontcuberta, ... ACS Applied Electronic Materials 1 (8), 1449-1457, 2019	172	2019
Magnetization reversal by electric-field decoupling of magnetic and ferroelectric domain walls in multiferroic-based heterostructures V Skumryev, V Laukhin, I Fina, X Martí, F Sánchez, M Gospodinov, ... Physical review letters 106 (5), 057206, 2011	155	2011
Nonferroelectric contributions to the hysteresis cycles in manganite thin films: A comparative study of measurement techniques I Fina, L Fàbrega, E Langenberg, X Martí, F Sánchez, M Varela, ... Journal of Applied Physics 109 (7), 074105, 2011	140	2011
Features of structure, magnetic state and electrodynamic performance of SrFe_12−xIn_xO₁₉ VA Turchenko, SV Trukhanov, VG Kostishin, F Damay, F Porcher, ... Scientific reports 11 (1), 18342, 2021	134	2021
Impact of In3+ cations on structure and electromagnetic state of M− type hexaferrites VA Turchenko, SV Trukhanov, VG Kostishin, F Damay, F Porcher, ... Journal of Energy Chemistry 69, 667-676, 2022	121	2022
Growth Window of Ferroelectric Epitaxial Hf_0.5Zr_0.5O₂ Thin Films J Lyu, I Fina, R Solanas, J Fontcuberta, F Sánchez ACS Applied Electronic Materials 1 (2), 220-228, 2019	121	2019
Robust ferroelectricity in epitaxial Hf1/2Zr1/2O2 thin films J Lyu, I Fina, R Solanas, J Fontcuberta, F Sánchez Applied Physics Letters 113 (8), 082902, 2018	118	2018
Crystal and magnetic structures, magnetic and ferroelectric properties of strontium ferrite partially substituted with in ions V Turchenko, VG Kostishyn, S Trukhanov, F Damay, F Porcher, ... Journal of Alloys and Compounds 821, 153412, 2020	114	2020
High polarization, endurance and retention in sub-5 nm Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 films J Lyu, T Song, I Fina, F Sánchez Nanoscale 12 (20), 11280-11287, 2020	110	2020
Epitaxial Ferroelectric HfO₂ Films: Growth, Properties, and Devices I Fina, F Sanchez ACS Applied Electronic Materials 3 (4), 1530-1549, 2021	107	2021
Band Gap Tuning of Solution-Processed Ferroelectric Perovskite BiFe_1–xCo_xO₃ Thin Films P Machado, M Scigaj, J Gazquez, E Rueda, A Sánchez-Díaz, I Fina, ... Chemistry of Materials 31 (3), 947-954, 2019	96	2019
Domain-Matching Epitaxy of Ferroelectric Hf_0.5Zr_0.5O₂(111) on La_2/3Sr_1/3MnO₃(001) S Estandía, N Dix, MF Chisholm, I Fina, F Sánchez Crystal Growth & Design 20 (6), 3801-3806, 2020	91	2020
Enhanced ferroelectricity in epitaxial Hf0. 5Zr0. 5O2 thin films integrated with Si (001) using SrTiO3 templates J Lyu, I Fina, R Bachelet, G Saint-Girons, S Estandía, J Gázquez, ... Applied Physics Letters 114 (22), 2019	88	2019
Roadmap on ferroelectric hafnia-and zirconia-based materials and devices JPB Silva, R Alcala, UE Avci, N Barrett, L Bégon-Lours, M Borg, S Byun, ... APL Materials 11 (8), 089201, 2023	77	2023
Structural features, magnetic and ferroelectric properties of SrFe10. 8In1. 2O19 compound V Turchenko, VG Kostishin, S Trukhanov, F Damay, M Balasoiu, B Bozzo, ... Materials Research Bulletin 138, 111236, 2021	77	2021

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